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Vishay?Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF
N溝道器件實現(xiàn)高功率密度
降低導通和開關(guān)損耗
提高能效
Vishay 推出采用薄型 PowerPAK 10 x 12 封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET。
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
Vishay 提供豐富的 MOSFET 技術(shù)以支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種高科技系統(tǒng)。隨著 SiHK045N60EF 的推出，以及其他第四代 600V EF 系列器件的發(fā)布，Vishay 可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正（PFC）以及其后的?DC/DC?轉(zhuǎn)換器模塊。典型應(yīng)用包括邊緣計算和數(shù)據(jù)存儲、不間斷電源、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器照明、太陽能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機驅(qū)動和電池充電器。
SiHK045N60EF 基于 Vishay 高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10V 條件下典型導通電阻僅為 0.045Ω，比 PowerPAK 8 x 8 封裝器件低 27%，從而提高了額定功率，支持 ≥ 3 kW 的各種應(yīng)用，同時器件高度低至 2.3 mm，增加了功率密度。此外，MOSFET 超低柵極電荷降至 70 nC。器件的 FOM 為 3.15 Ω*nC，比同類中最接近的 MOSFET 競品低 2.27 %。這些參數(shù)表明導通和開關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效率的特殊要求，或通信電源達到 98% 的峰值效率。
SiHK045N60EF 有效輸出電容?Co（er） 和 Co（tr） 分別僅為 171 pf 和 1069 pF，可改善零電壓開關(guān)（ZVS）拓撲結(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器。器件的 Co（tr） 比同類中最接近的 MOSFET 競品低 8.79 %，而其快速體二極管的 Qrr 低至 0.8 μC，有助于提高橋式拓撲結(jié)構(gòu)的可靠性。此外，MOSFET 的 PowerPAK 10 x 12 封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能，最大結(jié)-殼熱阻額定值為 0.45?C/W。SiHK045N60EF 熱阻抗比 PowerPAK 8 x 8 封裝器件低 31%。
日前發(fā)布的 MOSFET 符合 RoHS 和 Vishay 綠色標準，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值 100% 通過 UIS 測試?！ ?/p>
