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根據(jù)國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)公布的最新「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast Report），今年全球晶圓廠設備投資將增加14%，為628億美元，2019年可望上揚7.5% ，達675億美元，不但連續(xù)四年成長，也創(chuàng)下歷年來晶圓廠設備投資金額最高的記錄。新晶圓廠建設投資正邁向新高，預估將維持連續(xù)四年成長，明年建廠相關投資將逼近170億美元大關。
根據(jù)預測顯示，由于新晶圓廠陸續(xù)啟動，設備需求因而大幅增加，投資在晶圓廠技術、生產制程，及額外的產能資本額也將有所增長。全球晶圓廠預測報告目前共追蹤78座已經(jīng)或即將在2017年到2020年間動工的新設晶圓廠和產線(機率各異)，相關晶圓廠設備需求最終將超過2,200億美元。這段期間，這些晶圓廠和產線的建廠投資可望達530億美元。
韓國的晶圓廠設備投資金額預測將領先其他地區(qū)，達630億美元，比位居第二的中國大陸多出10億美元。臺灣可望以400億美元拿下第三名，其次為日本的220億美元，還有美洲地區(qū)的150億美元。歐洲和東南亞將并列第六，投資金額分別為80億美元。這些晶圓廠當中，其中60%屬于記憶體(其中又以3D NAND占比最高)，三分之一為晶圓代工。
2017年到2020年間動工的78座晶圓廠和產線當中，其中59處已于2017和2018年開始興建，另有19座可望在后兩年(2019和2020年)動工。
建設新晶圓廠通常需花一年到一年半的時間，不過受到公司、廠房規(guī)模、產品種類和地區(qū)等各種因素影響，有些會花上兩年甚至更久的時間。預估在2,200億美元投資金額，約有50%投資金額于2017至2020年之間支出，其中不到10%于去年和今年(2017-2018)支出，另有近40%將在未來2年中(2019-2020)支出，剩下金額將于2020年以后支出。
2,200億美元新晶圓廠投資，乃根據(jù)現(xiàn)有及已公布的晶圓廠計畫所推估，但因多家業(yè)者持續(xù)推出新建晶圓廠計畫，故整體支出可能超過此金額。
自今年6月1日發(fā)表的全球晶圓廠預測報告中，截至今日已更新超過340座晶圓廠。目前報告內容包含1,200多項從現(xiàn)在和未來的半導體先進制程數(shù)據(jù)，其中涵蓋生產至研發(fā)。報告內容包括各季投資細節(jié)、產品種類、技術制程，以及各晶圓廠及產能計畫。
