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簡介
在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中，無源器件和互連結(jié)構(gòu)的電磁仿真對IC設(shè)計(jì)人員來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。而要解決這些挑戰(zhàn)，以下幾個(gè)技術(shù)是最常被探討的：一個(gè)整合的設(shè)計(jì)環(huán)境，使電磁仿真工具能夠無縫接入現(xiàn)有的設(shè)計(jì)平臺中；在設(shè)計(jì)階段中實(shí)現(xiàn)快速無源器件建模和合成；在簽核sign-off 階段實(shí)現(xiàn)精確驗(yàn)證，同時(shí)能把封裝的影響考慮進(jìn)來。
在本文中，演示了IRIS-HFSS整合流程，它無縫地集成在Cadence Virtuoso平臺中（如圖1所示）。在設(shè)計(jì)階段，IRIS和iModeler采用加速矩量法（MOM）引擎和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了快速無源器件仿真和合成；在簽核階段，把HFSS集成進(jìn)來實(shí)現(xiàn)精確驗(yàn)證以及芯片封裝聯(lián)合仿真。
Figure1 Combined IRIS-HFSS flow for IC designers
集成在Virtuoso中的IRIS
IRIS為IC設(shè)計(jì)人員提供了一種在主流設(shè)計(jì)環(huán)境中運(yùn)行復(fù)雜的3D EM分析的簡單方法。IRIS基于加速矩量法(MoM)的全波電磁求解器引擎已在多個(gè)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上驗(yàn)證了其準(zhǔn)確性。Virtuoso無縫集成的形式避免了在設(shè)計(jì)環(huán)境和仿真環(huán)境之間轉(zhuǎn)換時(shí)可能出現(xiàn)的各種問題，使得IC設(shè)計(jì)人員可以采用自動(dòng)化的方式實(shí)現(xiàn)EM分析。
Figure2 Virtuoso-integrated IRIS interface
支持先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)
先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)對EM精確仿真提出了巨大挑戰(zhàn)。先進(jìn)工藝中線寬和線距的變化對金屬電阻率（rho-table）和布局效應(yīng)（bias-table）比較敏感，這對仿真精確度是至關(guān)重要的。舉例來說，如果不考慮bias-table效應(yīng)，momcap的電容值可能被低估超過20%。IRIS支持晶圓廠工藝文件中定義的rho-table和bias-table，以實(shí)現(xiàn)無源器件的精確建模和仿真結(jié)果。
Figure3 Width-and-spacing effect on a momcap
IRIS-to-HFSS
IRIS-to-HFSS接口為IC設(shè)計(jì)人員提供了一種途徑，可以使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HFSS來驗(yàn)證他們的無源模型。通過自動(dòng)化的IRIS-to-HFSS接口，可以簡化HFSS項(xiàng)目的建立，它不僅提供了IRIS內(nèi)置的功能，如rho-table、bias-table和via defeaturing，而且還提供了HFSS的一些相關(guān)特性，如自動(dòng)薄層合并、端口定義和Q3D去嵌等。通過在HFSS 3D Layout中導(dǎo)出，還可以實(shí)現(xiàn)芯片與封裝的協(xié)同仿真。IRIS-HFSS流程已通過多個(gè)晶圓廠工藝節(jié)點(diǎn)認(rèn)證。
Figure4 IRIS-to-HFSS interface
結(jié)論
本文演示了IRIS-HFSS整合流程，此流程涵蓋了高級工藝節(jié)點(diǎn)上的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的整個(gè)過程， 它可以顯著縮短IC設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)周期。
Figure5 IRIS,HFSS and Measurement Correlation
