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  • 日本研發(fā)出可滿足高輸出功率要求的LED模塊
    日本研發(fā)出可滿足高輸出功率要求的LED模塊
  • 日本研發(fā)出可滿足高輸出功率要求的LED模塊
  •   發(fā)布日期: 2016-04-17  瀏覽次數(shù): 1,118

      日本田中貴金屬工業(yè)公司和S.E.I公司2016年4月4日宣布,使用含有金顆粒(0.1μm級(jí))的低溫接合材料“AuRoFUSE”,開發(fā)出了可滿足高輸出功率要求的LED模塊。LED照明在亮燈時(shí)產(chǎn)生的熱量的影響下,輸出功率會(huì)下降,因此,LED模塊存在如何提高散熱性的問題。而此次的新產(chǎn)品解決了這一問題。

      模塊示例。照片出自和光電研及S.E.I。

      具體方法是,使用AuRoFUSE作為接合材料進(jìn)行倒裝芯片鍵合,而不是目前的主流方式——引線鍵合。倒裝芯片鍵合是利用突起的端子(凸塊)以電氣方式將芯片連接到引線框架及基板上的方法,直接將LED芯片接合到基板上,作為熱源的發(fā)光面靠近基板,因此容易使熱量散發(fā)。另外,通過去掉引線,不僅可省去引線占用的空間,實(shí)現(xiàn)小型化,而且還可提高電氣特性。

      新開發(fā)的模塊的構(gòu)造。圖片出自田中貴金屬和S.E.I。

      不過,以往在進(jìn)行倒裝芯片鍵合時(shí),必須在基板上使用昂貴的氮化鋁。這是因?yàn)閮r(jià)格低廉的金屬基板與LED芯片的熱膨脹系數(shù)存在很大差異,接合處容易破損。而在此次的技術(shù)中,作為接合材料的AuRoFUSE含有金顆粒,這些金顆粒可緩和熱膨脹時(shí)的變形,因此可使用價(jià)格低廉的金屬基板。憑借這一技術(shù),便可實(shí)現(xiàn)LED模塊的高輸出功率化和小型化。

      田中貴金屬將在2016年4月6日于東京有明國際會(huì)展中心舉行的“日本第3屆高功能金屬展”上,通過該公司的展臺(tái)展出此次的LED模塊。該公司今后的目標(biāo)是,將該LED模塊的用途范圍擴(kuò)展至進(jìn)出口冷凍倉庫以及可利用小型化優(yōu)點(diǎn)的車載照明等領(lǐng)域。


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