131 1300 0010
我們來看下圖：
此圖其實非常簡單，核心部分就是我們在數(shù)字電子技術(shù)中學(xué)到的施密特觸發(fā)器。
施密特觸發(fā)器的特點是，根據(jù)輸入電壓的變化，兩只晶體管V1和V2中，若V1飽和則V2截止，或者V1截止V2飽和。并且施密特觸發(fā)器具有繼電特性，也即讓V1飽和的輸入電壓與讓V1截止的輸入電壓不同，也因此，施密特觸發(fā)器常常用于電壓甄別器。
在實際使用時，V1很容易處于放大狀態(tài)。
對于題主的圖，電阻參數(shù)選擇不正確。
我們知道，當(dāng)晶體管V2飽和后，它的管壓降是0.3V，我們看到V2晶體管的集電極電阻是220歐，發(fā)射極電阻是120歐，于是流過晶體管V2的電流為：
由于施密特觸發(fā)器的晶體管屬于小功率晶體管，故此晶體管非燒掉不可！??！
我們把220歐改為2.2K，把120歐改為1.2K，則有：
這樣才對。
同理，V1的集電極電阻也改為2.2K。
我們設(shè)晶體管的放大倍數(shù)為30倍，于是V1管的基極電流為：
首先要確定發(fā)射極電阻1.2K上的電壓，為：
，于是當(dāng)V1導(dǎo)通時，它的基極電壓必須是：
。
光敏電阻的參數(shù)如下：
我們看到，當(dāng)光敏電阻無光照的等效暗電阻為600K，而有光照的亮電阻為5K。
設(shè)當(dāng)前無光照，則等效于光敏電阻已經(jīng)從電路中開路。于是V1的基極電阻為：
我們看到，圖中設(shè)計的是10K電阻串聯(lián)50K的可變電阻，顯然這是合適的。
V1飽和了，那么V2又如何？
V2的發(fā)射極電壓我們已經(jīng)知道是9.8V，而V1管的集電極電壓
，兩者之差為0.3V，小于V2要導(dǎo)通其基極電壓必須大于0.7V，也小于其處于放大區(qū)所必須的0.6V，故V2必然處于截止?fàn)顟B(tài)。
當(dāng)V2截止后，V3基極為高電平，系統(tǒng)具備讓V3飽和的條件，繼電器也因此會吸合動作。這里的關(guān)鍵是穩(wěn)壓二極管D1穩(wěn)定電壓的確定。
設(shè)高靈敏繼電器的吸合電流為20mA，則有：
于是穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓為：
故取穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓為22~24V即可。
V3必須采用中功率晶體管。
現(xiàn)在我們來考慮光敏電阻有光照的情況。
有趣的是，當(dāng)光敏電阻阻值逐漸減小時，V1管的基極電壓逐漸降低，它的集電極電流當(dāng)然也逐漸減小，于是發(fā)射極電阻上的電壓會降低，從而抵消了光敏電阻的光照阻值變化。
也因此，這里就出現(xiàn)了施密特觸發(fā)器的繼電特性。這一點十分重要，這是施密特觸發(fā)器用于電壓甄別器的原因。
繼電特性如下：
是不是和施密特觸發(fā)器的特性十分想象？
同時，V1管會脫離飽和區(qū)進(jìn)入放大區(qū)，晶體管的損耗會增加，V1管會因此發(fā)熱。
當(dāng)光敏電阻的阻值降低到5K時，忽略V1的基極電流，V1的基極電壓為：
這個值遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于發(fā)射極電壓9.8V，因此V1管截止，繼而V2管導(dǎo)通，而V3管截止，繼電器釋放。
繼電器線圈反向并聯(lián)的二極管D2用于瀉放繼電器線圈產(chǎn)生的反向電動勢，防止讓V3受反向電壓的沖擊而損壞。
