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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。 ? ①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。 ②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)不到想要的效果。 ?
二、推挽驅(qū)動(dòng)
這種驅(qū)動(dòng)方式使用兩個(gè)互補(bǔ)的MOSFET，一個(gè)用于拉高柵極電壓（開啟MOSFET），另一個(gè)用于拉低柵極電壓（關(guān)閉MOSFET）。這種方式可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，但需要更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路。
當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可用推挽驅(qū)動(dòng)。 ? 這種驅(qū)動(dòng)電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
? 三、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)
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MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。 為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
如上圖，是我之前用的一個(gè)電路，量產(chǎn)至少上萬(wàn)臺(tái)，推薦使用。 用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。 ? 還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。 ?
四、隔離驅(qū)動(dòng)
在需要電氣隔離的應(yīng)用中，可以使用光耦來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET。光耦可以將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，然后再轉(zhuǎn)換回電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)電氣隔離。這種方式可以提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
