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陶緒堂：氧化鎵單晶生長技術(shù)
在最新出版的《半導(dǎo)體學(xué)報》2019年第1期上，山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室主任陶緒堂教授著重介紹了氧化鎵晶體生長技術(shù)，指出導(dǎo)模法（EFG）由于可實現(xiàn)大的晶體尺寸、低的缺陷密度、大的生長速度、以及高的晶體質(zhì)量，被認(rèn)為是未來大批量生產(chǎn)氧化鎵單晶的最佳工藝之一。
氧化鎵材料簡介
β-Ga2O3晶體是一種新型的第四代直接帶隙超寬禁帶半導(dǎo)體，相比于第三代半導(dǎo)體，它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長成本更低等突出優(yōu)點，成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一，主要物理性能如表1所示。由于其在軍事、能源、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值，近年來，氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用，呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展勢頭，是當(dāng)前德國、日本、美國等國家的研究熱點和競爭重點。
表1 β-Ga2O3晶體的主要物理性能
高溫熔體技術(shù)生長氧化鎵材料
β-Ga2O3晶體生長成本較低，可以采用高溫熔體技術(shù)（包括傳統(tǒng)的提拉法和導(dǎo)模法）直接生長大尺寸高質(zhì)量的單晶，且具有晶體生長速度快、可實時觀察、可采用縮頸工藝降低缺陷密度等優(yōu)勢。另外，該晶體不需要使用像SiC及GaN那樣的高溫高壓生長環(huán)境、系統(tǒng)集成和自動化控制（包括電路、氣路等）復(fù)雜的晶體生長設(shè)備，有助于降低設(shè)備成本。不同熔體法生長獲得的β-Ga2O3體塊單晶如圖1所示。
圖1 不同熔體法生長獲得的β-Ga2O3體塊單晶：（a）導(dǎo)模法；（b）垂直布里奇曼法；（c）提拉法；（d）光浮區(qū)法
氧化鎵材料應(yīng)用及挑戰(zhàn)
β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測以及超高壓功率器件方面優(yōu)勢非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm處，紫外透過率可達(dá)80%以上，并且具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。因此，β-Ga2O3晶體自身便滿足“日盲”光電器件的需求，避免了合金化等復(fù)雜問題，在深紫外固態(tài)光電器件研究領(lǐng)域優(yōu)勢非常突出。
另外，從表1中可知，β-Ga2O3禁帶寬度是Si的四倍以上，而且高于3.3 eV的SiC和 3.4 eV 的GaN。其擊穿電場強(qiáng)度為8 MV/cm，是Si的20倍以上、SiC或GaN的兩倍以上。作為功率器件低損耗指標(biāo)的巴利加優(yōu)值，β-Ga2O3是SiC的10倍、GaN的4倍。因此，β-Ga2O3功率器件將在超高壓輸電、高速鐵路及軍事武器等關(guān)鍵領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價值。
綜合分析當(dāng)前氧化鎵晶體生長及器件制作的研究現(xiàn)狀，仍有幾大關(guān)鍵問題亟待解決：
單晶質(zhì)量普遍不高，大尺寸高質(zhì)量β-Ga2O3單晶仍有待發(fā)展。
有效的P型摻雜難于實現(xiàn)。
體塊單晶、外延薄膜及器件中存在的主要缺陷類型及影響還未完全明確。
歐姆接觸有待通過加強(qiáng)表面清潔度、重?fù)诫s和界面嵌入等方法提高。
表面鈍化及封裝技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展來為器件的使用保駕護(hù)航。
熱導(dǎo)率低的問題需要進(jìn)一步通過轉(zhuǎn)移或者減薄等方法來解決。
