全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。
其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。
集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響,但在需求驅(qū)動(dòng)下,受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣,較2018年成長12.17%,維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。
受益于國產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況,2018年多家中國本土功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績,并擴(kuò)大布局。其中,比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢,在車用IGBT市場快速崛起,取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率,一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應(yīng)商;MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營收大增,并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場。
另外,新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12寸特色工藝產(chǎn)線、華潤微電子在重慶建設(shè)的12寸特色工藝產(chǎn)線,以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級IGBT產(chǎn)線等。同時(shí),多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市,而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET,其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。
展望2019年,從終端需求來看,新能源汽車仍然為中國功率半導(dǎo)體市場最大需求來源,根據(jù)集邦咨詢資料顯示,2019年中國新能源車產(chǎn)量預(yù)估為150萬輛,較前一年成長45%,其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動(dòng)功率分立器件市場規(guī)模約270億元。同時(shí),5G建設(shè)所需的基站設(shè)備及其普及后帶來物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算的快速發(fā)展,將對功率半導(dǎo)體產(chǎn)生長期大量需求,另外,工業(yè)自動(dòng)化規(guī)劃持續(xù)推進(jìn),與之相關(guān)的電源、控制、驅(qū)動(dòng)電路將持續(xù)推升中國功率半導(dǎo)體的采購。
從供應(yīng)端來看,2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線將進(jìn)入量產(chǎn),但根據(jù)集邦咨詢預(yù)計(jì),2019年前三季度功率分立器件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉(zhuǎn),多家廠商的產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲。從廠商的技術(shù)發(fā)展來看,SiC MOSFET有望進(jìn)一步提高在車用領(lǐng)域?qū)杌鵌GBT的替代率,硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。
來源:集邦咨詢