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在嵌入式設(shè)備開發(fā)中，往往需要保存一些掉電不易失性的數(shù)據(jù)，如果系統(tǒng)配置、用戶定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會造成額外的PCB空間增大，硬件成本增加，降低產(chǎn)品的性價比。如果單從實用性來講，在stm32的系統(tǒng)中，諸如此類的應(yīng)用，筆者推薦如下2個方法可以去嘗試和借鑒。
基于備份寄存器
原理：對于大容量的MCU系列來說，它有著42個16bit的備份寄存器，而中小容量的微處理器卻只有10個16bit的備份寄存器。以STM32F103C8T6為例，42個備份寄存器的地址偏移為：0x04~0x28，0x40~0xBC，共可以存儲84個byte數(shù)據(jù)。備份寄存器是依賴者備份電源的，當(dāng)外界的VDD掉電，只要系統(tǒng)的VBAT能正常存在，那么Bakeup Domaain Registers的內(nèi)容可以被正常保存起來。
軟件編程要點，以一個項目中常用的case為例：
功能初始化：
備份寄存器讀出：void BKP_WriteBackupRegister（uint16_t BKP_DR， uint16_t Data）
備份寄存器讀出：uint16_t BKP_ReadBackupRegister（uint16_t BKP_DR）
該方法使用簡單，清晰，但是由于總共的可以利用的空間少，故該方法只是適合于保存小批量的數(shù)據(jù)，如穿戴設(shè)備中用戶的常用配置數(shù)據(jù)。
基于內(nèi)部閃存
原理：FLASH 存儲器又稱為閃存，它也是可重復(fù)擦寫的儲器。它分為 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般應(yīng)用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內(nèi)部的程序存儲空間；而 NAND FLASH 一般應(yīng)用在大數(shù)據(jù)量存儲的場合，如U 盤以及固態(tài)硬盤等，一般都是 NAND FLASH 類型的。
在stm32芯片中，F(xiàn)lash的讀寫單位都是以“頁”為單位的，以STM32F103C8T6為例，它的每頁大小為2K bytes;
軟件編程要點
讀寫保護(hù)解除：使用這種方法前提是，當(dāng)前讀和寫Flash的允許的，假設(shè)當(dāng)前flash已經(jīng)是允許寫的。所以暫時一些關(guān)于OptionBytes的操作和Flash的讀寫保護(hù)操作等API暫時不做討論。
FlashWrite：單個uint32_t數(shù)據(jù)的寫入簡易流程如圖：
FlashRead：對于單個int數(shù)據(jù)的讀出，比較簡單，通過下列語句完成：rdData= （*（__IOuint32_t *）dataAddr）;
由于SW介入的API較多，并且有很多的額外的背景知識需要碼農(nóng)去了解，使用該方法，相對比較復(fù)雜。但是由于保存數(shù)據(jù)以頁為單位，頁的大小可以多達(dá)2048bytes，所以該方法可以實用于保存掉電不易失的大數(shù)據(jù)?？紤]到flash讀寫保護(hù)的邏輯機(jī)制，該方法最好在不考慮數(shù)據(jù)的安全性問題前提下，才使用這種方法。
對于諸如此類的掉電保護(hù)數(shù)據(jù)方法，這里僅僅是拋磚引玉，歡迎大家多多提出更好的方案。
