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由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)襯底外延， 基于自支撐氮化鎵晶圓片的同質(zhì)外延可能是大多氮化鎵基器件的絕佳選擇。
半絕緣氮化鎵晶圓片可用于制造如高電子遷移率晶體管（HEMTs）的橫向?qū)ㄆ骷?，該高電子遷移率晶體管主要用于制造射頻器件。相比碳化硅基氮化鎵的高電子遷移率晶體管，氮化鎵基氮化鎵的高電子遷移率晶體管在緩沖層以及整個(gè)有源區(qū)中有低得多的位錯(cuò)密度。晶體質(zhì)量的提升預(yù)期能增加二維電子氣遷移率，并減少電流崩潰。氮化鎵襯底在提高下一代射頻高電子遷移率晶體管的功率輸出和功率附加效率方面可發(fā)揮至關(guān)重要的作用，尤其是在器件的工作頻率超過碳化硅基氮化鎵能力極限時(shí)。許多國家將這種氮化鎵基氮化鎵射頻器件用于符合其國家戰(zhàn)略利益的市場，如衛(wèi)星通信，5G 和 6G 電信以及軍事應(yīng)用。
4 英寸半絕緣型和 N 型導(dǎo)電性型自支撐氮化鎵晶圓片的電阻率大于 1E9 ohm-cm，位錯(cuò)密度小于 1E6 cm-2，通常在 5E5 到 7E5 cm-2 之間，曲率半徑可達(dá) 30 m 以上。拋光后的氮化鎵晶圓片表面粗糙度小于 0.3 nm，能達(dá)到直接用于外延生長的要求。
2英寸和4英寸GaN晶圓片規(guī)格
能提供半絕緣氮化鎵晶圓片上生長的 MOCVD 氮化鎵高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)。另外，可進(jìn)行多層器件結(jié)構(gòu)生長，如氮化鎵銦、氮化鎵鋁 、n 型摻雜和 p 型摻雜，以及在其他潛在器件結(jié)構(gòu)上生長，包括在 n 型氮化鎵襯底上生長發(fā)光二極管，激光二極管，以及垂直氮化鎵功率器件。
