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寄生二極管作用

當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS管。（起到保護MOS管的作用）

溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示，在N-epi外延層上擴散形成P基區(qū)，然后通過刻蝕技術形成深度超過P基區(qū)的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對準工藝形成N+源區(qū)，背面的N+substrate為漏區(qū)，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側的P基區(qū)反型，形成垂直溝道。

由美國aos萬代半導體代理泰德蘭電子提供的下圖結構中可以看到，P基區(qū)和N-epi形成了一個PN結，即MOSFET的寄生體二極管。

MOSFET剖面結構

體二極管主要參數(shù)

二極管特性測試電路

二極管恢復曲線

MOSFET體二極管反向恢復過程波形

MOSFET體二極管應用場合

1、全橋逆變電路

2、三相橋電路

3、LLC半橋諧振電路ZVS

4、移相全橋PSFB ZVS

5、HID照明（ZVS）

MOSFET體二極管應用分析

1、MOSFET體二極管反向恢復

2、LLC半橋諧振變換器

3、LLC電壓增益

4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換

LLC變換器工作波形

LLC啟動過程 - 二極管反向恢復

HID照明電源（帶載切換成開路）