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? ? ? ?mos管三個(gè)工作區(qū)為完全導(dǎo)通區(qū)、截止區(qū)、線性區(qū)

MOSFET工作區(qū)域的判定方法（NMOS）：

當(dāng) Vgs < Vth 時(shí)，截止區(qū)。

當(dāng) Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 時(shí)，變阻區(qū)。

當(dāng) Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 時(shí)，飽和區(qū)(恒流區(qū))。

其中 Vth 是 MOS管 的一個(gè)重要參數(shù)——開啟電壓。

當(dāng)MOS管 工作在變阻區(qū)內(nèi)時(shí)，其溝道是“暢通”的，相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時(shí)近似滿足V-I的線性關(guān)系，即有一個(gè)近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故稱變阻區(qū)域。

MOS管 工作在飽和區(qū)（恒流區(qū)）與 BJT 的飽和區(qū)不同，稱 MOS管此區(qū)為飽和區(qū)，主要表示 Vds 增加 Id 卻幾乎不再增加——也即電流飽和。其實(shí)在此飽和區(qū)內(nèi)，MOS管 和 BJT 都處于受控恒流狀態(tài)，故也稱其為恒流區(qū)。

N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個(gè)區(qū)域

1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）

滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí)，ip與uDs成線性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線。這時(shí)場效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。

2）恒流區(qū)（也稱飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū)）

滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，當(dāng)uGs一定時(shí)，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時(shí)場效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱為放大區(qū)。

3）夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）

夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。

4）擊穿區(qū)位

擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大，PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。

轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點(diǎn)對應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線，即得到轉(zhuǎn)移性曲線，如圖3（b）所示。